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SKB15N60E8151ATMA1

更新时间： 2024-09-18 20:59:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	1150K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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SKB15N60E8151ATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	31 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	315 ns	标称接通时间 (ton)：	54 ns
Base Number Matches：	1

SKB15N60E8151ATMA1 数据手册

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SKB15N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for frequency inverters for washing machines,

fans, pumps and vacuum cleaners

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

PG-TO263-3-2

• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹for target applications

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Marking

Package

SKB15N60

600V

15A

2.3V

K15N60 PG-TO263-3-2

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_{Cpul s}

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Diode forward current

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time²

I_{Fpul s}

V_{G E}

t_SC

±20

µs

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

P_{t ot}

139

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)

T_j, T_stg

T_s

-55...+150

245

°C

¹J-STD-020 and JESD-022

²Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.2 Oct. 07

12 3 4 5 6 7...13

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