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SKB15N60E8151

更新时间： 2024-09-18 19:51:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	598K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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SKB15N60E8151 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	31 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	315 ns
标称接通时间 (ton)：	54 ns	Base Number Matches：	1

SKB15N60E8151 数据手册

SKB15N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled

Diode

 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

 Short circuit withstand time – 10 s

 Designed for frequency inverters for washing machines,

fans, pumps and vacuum cleaners

 NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

PG-TO263-3-2

 Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled

Diode

 Pb-free lead plating; RoHS compliant

 Qualified according to JEDEC¹for target applications

 Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Marking

Package

SKB15N60

600V

15A

2.3V

K15N60 PG-TO263-3-2

150C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25C

V_{C E}

I_C

600

T_C= 100C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

V_CE 600V, T_j 150C

I_{Cp ul s}

Diode forward current

I_F

T_C= 25C

T_C= 100C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_{Fp ul s}

V_{G E}

t_SC

20

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time²

V_GE= 15V, V_CC 600V, T_j 150C

Power dissipation

s

P_{t ot}

139

T_C= 25C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)

T_j, T_stg

-55...+150

260

C

T_s

°C

¹J-STD-020 and JESD-022

²Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.3 12.06.2013

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKB15N60E8151ATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL
SKB15N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SKB15N60HS_07	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SKB15N60HSAT	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP
SKB15N60HSATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP
SKB15N60XT	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL
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