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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKB1508A2 | SEMIKRON |
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Power Bridge Rectifiers |
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| SKB1512A2 | SEMIKRON |
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Power Bridge Rectifiers |
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| SKB1514A2 | SEMIKRON |
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Power Bridge Rectifiers |
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| SKB1516A2 | SEMIKRON |
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Power Bridge Rectifiers |
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| SKB15N60 | INFINEON |
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Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode |
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| SKB15N60_07 | INFINEON |
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Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode |
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| SKB15N60E8151 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL |
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| SKB15N60E8151ATMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL |
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| SKB15N60HS | INFINEON |
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High Speed IGBT in NPT-technology |
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| SKB15N60HS_07 | INFINEON |
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High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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