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SKB15/16A2

更新时间: 2024-09-18 03:31:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 408K
描述
Power Bridge Rectifiers

SKB15/16A2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:S-PUFM-X4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
其他特性:SNUBBER DIODE外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):2.2 V
JESD-30 代码:S-PUFM-X4JESD-609代码:e2
最大非重复峰值正向电流:320 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1600 V最大反向电流:300 µA
最大反向恢复时间:10 µs子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SKB15/16A2 数据手册

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SKB 15  
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1
05-04-2007 SCT  
© by SEMIKRON  

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL