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SKB15/12A2

更新时间: 2024-09-18 03:31:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 408K
描述
Power Bridge Rectifiers

SKB15/12A2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:S-PUFM-X4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
Is Samacsys:N其他特性:SNUBBER DIODE
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.2 VJESD-30 代码:S-PUFM-X4
JESD-609代码:e2最大非重复峰值正向电流:320 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向电流:300 µA最大反向恢复时间:10 µs
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SKB15/12A2 数据手册

 浏览型号SKB15/12A2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKB15/12A2的Datasheet PDF文件第3页 
SKB 15  
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1
05-04-2007 SCT  
© by SEMIKRON  

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