SIHFZ44L-E3

更新时间： 2024-11-02 06:11:43

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	1480K
描述
Power MOSFET

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SIHFZ44L-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFZ44L-E3 数据手册

IRFZ44S, IRFZ44L, SiHFZ44S, SiHFZ44L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRFZ44S, SiHFZ44S)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.028

RoHS*

•

Low-Profile Through-Hole (IRFZ44L, SiHFZ44L)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extermely low

on resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extermely efficient reliabel deviece for use in a wide

variety of applications.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and lowest possible on-resistance

in any existing surface mount package. The D²PAK is

suitable for high current applications because of its low

internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W

in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

The through-hole version (IRFZ44L/SiHFZ44L) is available

for low profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFZ44SPbF

SiHFZ44S-E3

IRFZ44S

D²PAK (TO-263)

IRFZ44STRRPbF^a

SiHFZ44STR-E3^a

IRFZ44STRR^a

D²PAK (TO-263)

IRFZ44STRLPbF^a

SiHFZ44STL-E3^a

IRFZ44STRL^a

I²PAK (TO-262)

IRFZ44LPbF

SiHFZ44L-E3

IRFZ44L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ44S

SiHFZ44STR^a

SiHFZ44STL^a

SiHFZ44L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage^f

Gate-Source Voltage^f

SYMBOL

LIMIT

UNIT

V_DS

V_GS

Continuous Drain Current^e

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

_C= 25 °C

200

1.0

100

3.7

150

4.5

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

I_DM

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

E_AS

P_D

_A= 25 °C

T_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation

V/ns

°C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, f}

dV/dt

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature^d)

T_J, T_stg

- 55 to + 175

300

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V; starting T_J= 25 °C, L = 44 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 51 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 51 A, dI/dt ≤ 250 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.

f. Uses IRFZ44/SiHFZ44 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91293

S-Pending-Rev. A, 23-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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