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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 290 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHFZ48RS-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFZ48RS-GE3 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFZ48S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SIHFZ48S-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| SIHFZ48S-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| SIHFZ48STL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| SiHG018N60E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET |
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| SiHG026N60EF | VISHAY |
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EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
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| SiHG039N60E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET |
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| SiHG039N60EF | VISHAY |
获取价格 |
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
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