SIHFZ48

更新时间： 2024-11-02 06:13:07

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHFZ48 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	190 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	290 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFZ48 数据手册

IRFZ48, SiHFZ48

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Ultra Low On-Resistance

• Very Low Thermal Resistance

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.018

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

110

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

TO-220

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFZ48PbF

SiHFZ48-E3

IRFZ48

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ48

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

Continuous Drain Current^e

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

290

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

100

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

190

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

- 55 to + 175

300

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 22 µH, R_G= 25 Ω I_AS= 72 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 72 A, dV/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case

e. Current limited by the package, (die current = 72 A).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91294

S-Pending-Rev. A, 23-Jul-08

www.vishay.com

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