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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFZ48R-E3
SIHFZ48R-E3 PDF预览

SIHFZ48R-E3

更新时间： 2024-11-25 09:25:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1064K
描述
Power MOSFET

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SIHFZ48R-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.1Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：290 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHFZ48R-E3 数据手册

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IRFZ48R, SiHFZ48R  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Advanced Process Technology  
• Ultra Low On-Resistance  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
Available  
RDS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.018  
RoHS*  
• Dynamic dV/dt Rating  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
110  
29  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Fully Avalanche Rated  
36  
• Drop in Replacement of the SiHFZ48 for Linear/Audio  
Applications  
Configuration  
Single  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
TO-220AB  
DESCRIPTION  
Advanced Power MOSFETs from Vishay utilize advanced  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with  
the fast switching speed and ruggedized device design that  
Power MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use in a  
wide variety of applications.  
The TO-220AB package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220AB contribute to its  
wide acceptance throughout the industry.  
G
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220AB  
IRFZ48RPbF  
SiHFZ48R-E3  
IRFZ48R  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFZ48R  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
60  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
50  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
50  
290  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
100  
50  
EAR  
19  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
190  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 22 μH, Rg = 25 Ω IAS = 72 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 72 A, dV/dt ≤ 200 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91295  
S11-0518-Rev. B, 21-Mar-11  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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