SIHFZ44L

更新时间： 2024-11-02 06:13:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	1480K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHFZ44L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFZ44L 数据手册

IRFZ44S, IRFZ44L, SiHFZ44S, SiHFZ44L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRFZ44S, SiHFZ44S)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.028

RoHS*

•

Low-Profile Through-Hole (IRFZ44L, SiHFZ44L)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extermely low

on resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extermely efficient reliabel deviece for use in a wide

variety of applications.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and lowest possible on-resistance

in any existing surface mount package. The D²PAK is

suitable for high current applications because of its low

internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W

in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

The through-hole version (IRFZ44L/SiHFZ44L) is available

for low profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFZ44SPbF

SiHFZ44S-E3

IRFZ44S

D²PAK (TO-263)

IRFZ44STRRPbF^a

SiHFZ44STR-E3^a

IRFZ44STRR^a

D²PAK (TO-263)

IRFZ44STRLPbF^a

SiHFZ44STL-E3^a

IRFZ44STRL^a

I²PAK (TO-262)

IRFZ44LPbF

SiHFZ44L-E3

IRFZ44L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ44S

SiHFZ44STR^a

SiHFZ44STL^a

SiHFZ44L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage^f

Gate-Source Voltage^f

SYMBOL

LIMIT

UNIT

V_DS

V_GS

Continuous Drain Current^e

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

_C= 25 °C

200

1.0

100

3.7

150

4.5

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

I_DM

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

E_AS

P_D

_A= 25 °C

T_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation

V/ns

°C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, f}

dV/dt

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature^d)

T_J, T_stg

- 55 to + 175

300

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V; starting T_J= 25 °C, L = 44 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 51 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 51 A, dI/dt ≤ 250 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.

f. Uses IRFZ44/SiHFZ44 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91293

S-Pending-Rev. A, 23-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SIHFZ44L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFZ44L-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ44R	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ44R-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ44S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ44S-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ44S-GE3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ44STL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ44STL-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ44STR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFZ44STR-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHFZ44L相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

6
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

3
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

24
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

25

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFZ44L

SIHFZ44L 技术参数

SIHFZ44L 数据手册

与SIHFZ44L相关器件

与SIHFZ44L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFZ44L

SIHFZ44L 技术参数

SIHFZ44L 数据手册

与SIHFZ44L相关器件

与SIHFZ44L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？