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SIHB16N50CTL-E3

更新时间： 2024-11-20 19:50:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	175K
描述
TRANSISTOR 16 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHB16N50CTL-E3 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	320 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHB16N50CTL-E3 数据手册

SiHP16N50C, SiHB16N50C, SiHF16N50C

www.vishay.com

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Low Figure-of-Merit R_onx Q_g

V_DS(V) at T_Jmax.

_DS(on)()

Q_g(Max.) (nC)

560

V_GS= 10 V

0.38

• 100 % Avalanche Tested

• Gate Charge Improved

_gs(nC)

_gd(nC)

17.6

21.8

• T_rr/Q_rrImproved

Configuration

Single

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

TO-220AB

TO-220 FULLPAK

Note

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions

may apply

D²PAK (TO-263)

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220AB

D²PAK (TO-263)

TO-220 FULLPAK

SiHP16N50C-E3

SiHB16N50C-E3

SiHB16N50CTR-E3

SiHB16N50CTL-E3

SiHF16N50C-E3

Lead (Pb)-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^c

I_DM

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

E_AS

P_D

320

250

TO220-AB, D²PAK (TO-263)

TO-220 FULLPAK

Maximum Power Dissipation

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^d

T_J, T_stg

°C

for 10 s

300

Notes

a. Limited by maximum junction temperature.

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 2.5 mH, R_g= 25 , I_AS= 16 A.

c. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

d. 1.6 mm from case.

S11-1116-Rev. B, 13-Jun-11

Document Number: 91401

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHB16N50CTR-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 16 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SiHB17N80AE	VISHAY	获取价格	E Series Power MOSFET
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