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SIHB23N60E-GE3

更新时间： 2024-11-20 19:54:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	159K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3/2

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SIHB23N60E-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	2.29	雪崩能效等级（Eas）：	353 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.158 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	63 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHB23N60E-GE3 数据手册

SiHB23N60E

Vishay Siliconix

www.vishay.com

E Series Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Low Figure-of-Merit (FOM) R_onx Q_g

• Low Input Capacitance (C_iss

V_DS(V) at T_Jmax.

_DS(on)max. at 25 °C ()

Q_gmax. (nC)

650

)

V_GS= 10 V

0.158

• Reduced Switching and Conduction Losses

• Ultra Low Gate Charge (Q_g)

_gs(nC)

_gd(nC)

• Avalanche Energy Rated (UIS)

Configuration

Single

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

D²PAK (TO-263)

APPLICATIONS

• Server and Telecom Power Supplies

• Switch Mode Power Supplies (SMPS)

• Power Factor Correction Power Supplies (PFC)

• Lighting

- High-Intensity Discharge (HID)

- Fluorescent Ballast Lighting

• Industrial

N-Channel MOSFET

- Welding

- Induction Heating

- Motor Drives

- Battery Chargers

- Renewable Energy

- Solar (PV Inverters)

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHB23N60E-GE3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

600

Gate-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage AC (f > 1 Hz)

_C= 25 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

1.8

W/°C

E_AS

P_D

353

Maximum Power Dissipation

227

Operating Junction and Storage Temperature Range

Drain-Source Voltage Slope

Reverse Diode dV/dt^d

T_J, T_stg

-55 to +150

°C

T_J= 125 °C

dV/dt

V/ns

°C

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^c

for 10 s

300

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 28.2 mH, R_g= 25 , I_AS= 5 A.

c. 1.6 mm from case.

d. I_SD I_D, dI/dt = 100 A/μs, starting T_J= 25 °C.

S13-2461-Rev. B, 02-Dec-13

Document Number: 91552

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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