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SIHB8N50D-GE3

更新时间： 2024-11-24 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	146K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3/2

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SIHB8N50D-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	29 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.7 A	最大漏极电流 (ID)：	8.7 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	156 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHB8N50D-GE3 数据手册

SiHB8N50D

Vishay Siliconix

www.vishay.com

D Series Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Optimal Design

550

V_DS(V) at T_Jmax.

_DS(on)max. at 25 °C ()

Q_g(max.) (nC)

- Low Area Specific On-Resistance

- Low Input Capacitance (C_iss

V_GS= 10 V

0.85

)

- Reduced Capacitive Switching Losses

- High Body Diode Ruggedness

- Avalanche Energy Rated (UIS)

• Optimal Efficiency and Operation

- Low Cost

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

- Simple Gate Drive Circuitry

- Low Figure-of-Merit (FOM): R_onx Q_g

- Fast Switching

D²PAK (TO-263)

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Consumer Electronics

- Displays (LCD or Plasma TV)

• Server and Telecom Power Supplies

- SMPS

N-Channel MOSFET

• Industrial

- Welding

- Induction Heating

- Motor Drives

• Battery Chargers

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

SiHB8N50D-GE3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Gate-Source Voltage AC (f > 1 Hz)

V_DS

500

V_GS

8.7

T_C= 25 °C

T_C=100 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

V_GSat 10 V

I_D

5.5

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

1.25

W/°C

E_AS

P_D

Maximum Power Dissipation

156

Operating Junction and Storage Temperature Range

Drain-Source Voltage Slope

Reverse Diode dV/dt^d

T_J, T_stg

- 55 to + 150

°C

T_J= 125 °C

dV/dt

V/ns

°C

0.37

300

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^c

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 2.3 mH, R_g= 25 , I_AS= 5 A.

c. 1.6 mm from case.

d. I_SD I_D, starting T_J= 25 °C.

S13-0025-Rev. A, 21-Jan-13

Document Number: 91529

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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