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SIHD3N50DT1-GE3 PDF预览

SIHD3N50DT1-GE3

更新时间： 2024-11-06 19:49:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 198K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2

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SIHD3N50DT1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.66雪崩能效等级（Eas）：9 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：3.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：5.5 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHD3N50DT1-GE3 数据手册

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SiHD3N50D  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
D Series Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
• Optimal Design  
550  
VDS (V) at TJ max.  
DS(on) max. () at 25 °C  
Qg (max.) (nC)  
- Low Area Specific On-Resistance  
- Low Input Capacitance (Ciss)  
R
VGS = 10 V  
3.2  
- Reduced Capacitive Switching Losses  
- High Body Diode Ruggedness  
- Avalanche Energy Rated (UIS)  
• Optimal Efficiency and Operation  
- Low Cost  
12  
2
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Available  
Q
3
Configuration  
Single  
- Simple Gate Drive Circuitry  
- Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x Qg  
- Fast Switching  
D
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DPAK  
(TO-252)  
G
APPLICATIONS  
• Consumer Electronics  
D
- Displays (LCD or Plasma TV)  
• Server and Telecom Power Supplies  
- SMPS  
• Industrial  
S
S
G
N-Channel MOSFET  
- Welding  
- Induction Heating  
- Motor Drives  
• Battery Chargers  
ORDERING INFORMATION  
Package  
DPAK (TO-252)  
Lead (Pb)-free  
SiHD3N50D-E3  
SiHD3N50D-GE3  
SiHD3N50DT1-GE3  
SiHD3N50DT4-GE3  
SiHD3N50DT5-GE3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Gate-Source Voltage AC (f > 1 Hz)  
VDS  
500  
30  
V
VGS  
30  
3.0  
T
C = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
VGS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
1.9  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
5.5  
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energyb  
0.56  
9
W/°C  
mJ  
W
EAS  
PD  
Maximum Power Dissipation  
69  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Drain-Source Voltage Slope  
Reverse Diode dV/dt d  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
24  
°C  
TJ = 125 °C  
for 10 s  
dV/dt  
V/ns  
°C  
0.22  
300  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 2.3 mH, Rg = 25 , IAS = 2.8 A.  
c. 1.6 mm from case.  
d. ISD ID, starting TJ = 25 °C.  
S14-0005-Rev. C, 20-Jan-14  
Document Number: 91495  
1
For technical questions, contact: hvm@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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