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SIHD3N50DA-GE3

更新时间： 2024-11-06 21:11:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	123K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2

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SIHD3N50DA-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	雪崩能效等级（Eas）：	9 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	3.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5.5 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHD3N50DA-GE3 数据手册

SiHD3N50DA

Vishay Siliconix

www.vishay.com

D Series Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Optimal design

V_DS(V) at T_Jmax.

_DS(on)max. at 25 °C (Ω)

Q_g(max.) (nC)

550

- Low area specific on-resistance

- Low input capacitance (C_iss

V_GS= 10 V

3.2

)

- Reduced capacitive switching losses

- High body diode ruggedness

- Avalanche energy rated (UIS)

• Optimal efficiency and operation

- Low cost

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

- Simple gate drive circuitry

- Low figure-of-merit (FOM): R_onx Q_g

- Fast switching

DPAK

(TO-252)

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

N-Channel MOSFET

• Consumer electronics

- Displays (LCD or plasma TV)

• Server and telecom power supplies

- SMPS

• Industrial

- Welding, induction heating, motor drives

• Battery chargers

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHD3N50DA-GE3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Gate-Source Voltage AC (f > 1 Hz)

V_DS

500

V_GS

3.0

_C= 25 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

1.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

5.5

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^b

0.56

W/°C

E_AS

P_D

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

Drain-Source Voltage Slope

Reverse Diode dV/dt^d

T_J, T_stg

-55 to +150

°C

T_J= 125 °C

for 10 s

dV/dt

V/ns

°C

0.22

300

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^c

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 2.3 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 2.8 A.

c. 1.6 mm from case.

d. I_SD≤ I_D, starting T_J= 25 °C.

S14-1304-Rev. A, 23-Jun-14

Document Number: 91614

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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