是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 1.61 | 雪崩能效等级(Eas): | 793 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 33 A | 最大漏极电流 (ID): | 33 A |
最大漏源导通电阻: | 0.099 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 278 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 88 A | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHB33N60ET1-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 600V 33A TO263 | |
SIHB33N60ET5-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 600V 33A TO263 | |
SiHB35N60E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET | |
SiHB35N60EF | VISHAY |
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EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode | |
SIHB35N60E-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, | |
SiHB4N80E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET | |
SiHB5N80AE | VISHAY |
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E Series Power MOSFET | |
SiHB6N65E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET | |
SiHB6N80AE | VISHAY |
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E Series Power MOSFET | |
SiHB6N80E | VISHAY |
获取价格 |
E Series Power MOSFET |