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SIHB28N60EF-GE3 PDF预览

SIHB28N60EF-GE3

更新时间： 2024-09-15 21:18:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 216K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3/2

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SIHB28N60EF-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：2.3
雪崩能效等级（Eas）：691 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：28 A
最大漏源导通电阻：0.123 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：75 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHB28N60EF-GE3 数据手册

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SiHB28N60EF  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
• Fast body diode MOSFET using E series  
technology  
• Reduced trr, Qrr, and IRRM  
• Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg  
• Low input capacitance (Ciss  
• Low switching losses due to reduced Qrr  
• Ultra low gate charge (Qg)  
• Avalanche energy rated (UIS)  
VDS (V) at TJ max.  
DS(on) max. at 25 °C ()  
Qg (Max.) (nC)  
650  
R
VGS = 10 V  
0.123  
120  
17  
)
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Q
33  
Configuration  
Single  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
D
D2PAK (TO-263)  
APPLICATIONS  
• Telecommunications  
- Server and telecom power supplies  
• Lighting  
G
- High intensity discharge (HID)  
- Light emitting diodes (LEDs)  
• Consumer and computing  
- ATX power supplies  
• Industrial  
D
G
S
S
N-Channel MOSFET  
- Welding  
- Battery chargers  
• Renewable energy  
- Solar (PV inverters)  
• Switch mode power suppliers (SMPS)  
• Applications using the following topologies  
- LLC  
- Phase shifted bridge (ZVS)  
- 3-level inverter  
- AC/DC bridge  
ORDERING INFORMATION  
Package  
D2PAK (TO-263)  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHB28N60EF-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
600  
V
VGS  
30  
T
C = 25 °C  
28  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
VGS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
18  
A
Pulsed Drain Current a  
IDM  
75  
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energy b  
2
691  
W/°C  
mJ  
W
EAS  
PD  
Maximum Power Dissipation  
250  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Drain-Source Voltage Slope  
Reverse Diode dV/dt d  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
70  
°C  
TJ = 125 °C  
for 10 s  
dV/dt  
V/ns  
°C  
50  
Soldering Recommendations (Peak Temperature) c  
300  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 28.2 mH, Rg = 25 , IAS = 7 A  
c. 1.6 mm from case  
d. ISD ID, dI/dt = 900 A/μs, starting TJ = 25 °C  
S17-0294-Rev. C, 27-Feb-17  
Document Number: 91601  
1
For technical questions, contact: hvm@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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