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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 5.36 | 雪崩能效等级（Eas）： | 204 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 49 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHB22N60AEL-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| SIHB22N60E | VISHAY |
获取价格 |
E Series Power MOSFET |
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| SIHB22N60E_14 | VISHAY |
获取价格 |
E Series Power MOSFET |
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| SIHB22N60E-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 21 A, 600 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, |
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| SiHB22N60EF | VISHAY |
获取价格 |
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
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| SIHB22N60EF-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| SiHB22N60EL | VISHAY |
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EL Series Power MOSFET |
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| SIHB22N60EL-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.197ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SIHB22N60S | VISHAY |
获取价格 |
S Series Power MOSFET |
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| SIHB22N60S-E3 | VISHAY |
获取价格 |
S Series Power MOSFET |
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