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SIHB22N65E-GE3

更新时间： 2024-09-13 19:52:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 218K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2

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SIHB22N65E-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：16 weeks
风险等级：2.33雪崩能效等级（Eas）：691 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：650 V
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.18 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHB22N65E-GE3 数据手册

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SiHB22N65E  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
E Series Power MOSFET  
FEATURES  
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg  
• Low input capacitance (Ciss  
• Reduced switching and conduction losses  
• Ultra low gate charge (Qg)  
• Avalanche energy rated (UIS)  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V) at TJ max.  
DS(on) max. at 25 °C (Ω)  
Qg max. (nC)  
700  
)
R
VGS = 10 V  
0.18  
110  
15  
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Q
32  
• Material categorization: for definitions of  
compliance please see www.vishay.com/doc?99912  
Configuration  
Single  
D
APPLICATIONS  
D2PAK (TO-263)  
• Server and telecom power supplies  
• Switch mode power supplies (SMPS)  
• Power factor correction power supplies (PFC)  
• Lighting  
G
- High-intensity discharge (HID)  
- Fluorescent ballast lighting  
• Industrial  
D
G
S
S
N-Channel MOSFET  
- Welding  
- Induction heating  
- Motor drives  
- Battery chargers  
- Renewable energy  
- Solar (PV inverters)  
ORDERING INFORMATIN  
Package  
D2PAK (TO-263)  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHB22N65E-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
650  
V
VGS  
30  
T
C = 25 °C  
22  
14  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
VGS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
A
Pulsed Drain Current a  
IDM  
56  
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energy b  
1.8  
W/°C  
mJ  
W
EAS  
PD  
691  
Maximum Power Dissipation  
227  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Drain-Source Voltage Slope  
Reverse Diode dV/dt d  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
70  
°C  
TJ = 125 °C  
for 10 s  
dV/dt  
V/ns  
°C  
26  
Soldering Recommendations (Peak Temperature) c  
300  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 28.2 mH, Rg = 25 Ω, IAS = 7 A.  
c. 1.6 mm from case.  
d. ISD ≤ ID, dI/dt = 100 A/μs, starting TJ = 25 °C.  
S15-0291-Rev. B, 23-Feb-15  
Document Number: 91538  
1
For technical questions, contact: hvm@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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