Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

更新时间： 2024-10-30 12:27:59

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
S Series Power MOSFET

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SIHB22N60S-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	690 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	65 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHB22N60S-E3 数据手册

SiHB22N60S

Vishay Siliconix

www.vishay.com

S Series Power MOSFET

FEATURES

• Generation One

PRODUCT SUMMARY

V_DSat T_Jmax. (V)

_DS(on)max. at 25 °C ()

Q_gmax. (nC)

650

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

V_GS= 10 V

0.190

• High E_ARCapability

• Lower Figure-of-Merit R_onx Q_g

• 100 % Avalanche Tested

• Ultra Low R_on

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• dV/dt Ruggedness

D²PAK (TO-263)

• Ultra Low Gate Charge (Q_g)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Note

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions

may apply

APPLICATIONS

• PFC Power Supply Stages

• Hard Switching Topologies

• Solar Inverters

• UPS

N-Channel MOSFET

• Motor Control

• Lighting

• Server Telecom

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

SiHB22N60S-GE3

SiHB22N60S-E3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

Lead (Pb)-free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Gate-Source Voltage AC (f > 1 Hz)

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

Linear Derating Factor

I_DM

D²PAK

(TO-263)

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

E_AR

690

D²PAK

(TO-263)

Maximum Power Dissipation

P_D

250

T_J= 125 °C

Drain-Source Voltage Slope

Reverse Diode dV/dt^d

5.3

dV/dt

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^c

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 28.2 mH, R_g= 25 , I_AS= 7 A.

c. 1.6 mm from case.

d. I_SD I_D, dI/dt = 100 A/μs, starting T_J= 25 °C.

S11-1882-Rev. E, 26-Sep-11

Document Number: 91395

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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