是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-CXSO-G2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 38 A |
最大漏源导通电阻: | 0.055 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-CXSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SHD2182B | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2182BS | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
SHD2183 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2183A | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2183AS | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
SHD2183B | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD2183BS | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
SHD2184 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS | |
SHD218409 | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL | |
SHD218409A | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL |