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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.26 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 最大集电极电流 (IC)： | 21 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 59 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 32 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 329 ns | 标称接通时间 (ton)： | 50 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGW10N60A | INFINEON |
获取价格 |
Fast IGBT in NPT-technology |
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| SGW10N60AFKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL |
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| SGW10N60RUF | FAIRCHILD |
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Short Circuit Rated IGBT |
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| SGW10N60RUFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Short Circuit Rated IGBT |
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| SGW10N60RUFDTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SGW13N60UF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultra-Fast IGBT |
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| SGW13N60UFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultra-Fast IGBT |
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| SGW13N60UFDTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3 |
|
| SGW13N60UFDTM | ROCHESTER |
获取价格 |
13A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB, D2PAK-3 |
|
| SGW15N120 | INFINEON |
获取价格 |
Fast IGBT in NPT-technology |
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