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| 生命周期： | Active | 包装说明： | G21, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 5.56 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 20 V |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.5 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 20000 V |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SCH2080KE | ROHM |
获取价格 |
N-channel SiC power MOSFET co-packaged with SiC-SBD |
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| SCH2080KEC | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SCH2101 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PAIR,PNP,12V V(BR)CEO,800MA I(C),LLCC |
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| SCH2201 | SANYO |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Switching, Driver Applications |
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| SCH2201-TL-E | ONSEMI |
获取价格 |
SCH2201-TL-E |
|
| SCH2202 | SANYO |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Switching, Driver Applications |
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| SCH2308 | SANYO |
获取价格 |
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
|
| SCH2309 | SANYO |
获取价格 |
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
|
| SCH2310 | SANYO |
获取价格 |
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
|
| SCH2311 | SANYO |
获取价格 |
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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