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| 生命周期： | Active | 包装说明： | G21, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 5.55 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 25 V | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 50 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 0.5 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 25000 V | 最大反向恢复时间： | 5 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SCH2503 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,COMPLEMENTARY,30V V(BR)CEO,600MA I(C),LLCC |
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| SCH2602 | SANYO |
获取价格 |
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device |
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| SCH2615 | SANYO |
获取价格 |
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device |
|
| SCH2805 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR |
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| SCH2806 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
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| SCH2807 | SANYO |
获取价格 |
MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode |
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| SCH2808 | SANYO |
获取价格 |
MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching D |
|
| SCH2809 | SANYO |
获取价格 |
MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching D |
|
| SCH2811 | SANYO |
获取价格 |
MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching D |
|
| SCH2812 | SANYO |
获取价格 |
SCH2812 |
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