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SCH2080KE

更新时间： 2024-09-17 12:22:03

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罗姆 - ROHM		/
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13页	493K
描述
N-channel SiC power MOSFET co-packaged with SiC-SBD

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SCH2080KE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.117 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SCH2080KE 数据手册

SCH2080KE

N-channel SiC power MOSFET co-packaged with SiC-SBD

Datasheet

Outline

TO-247

V_DSS

1200V

80m

35A

R_DS(on)(Typ.)

I_D

P_D

179W

(1) (2) (3)

Features

Inner circuit

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Low V_SD

D(2)

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

G(1)

*1 Body Diode

*2 SBD

5) Easy to parallel

6) Simple to drive

S(3)

Packaging specifications

7) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Packing

Tube

Reel size (mm)

Application

Tape width (mm)

Type

・Solar inverters

・DC/DC converters

・Induction heating

・Motor drives

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

Marking

SCH2080KE

Absolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

Drain - Source voltage

T_c= 25°C

T_c= 100°C

I_D

Continuous drain current

I_D

Pulsed drain current

I_D,pulse

V_GSS

P_D

Gate - Source voltage

6 to 22

179

Power dissipation (T_c= 25°C)

Junction temperature

°C

T_j

150

T_stg

Range of storage temperature

55 to 150

www.rohm.com

2012.09 - Rev.B

1/12

12 3 4 5 6 7...13

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