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RN1962FE

更新时间： 2024-09-08 22:43:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

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RN1962FE 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.48其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

RN1962FE 数据手册

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RN1961FE~RN1966FE  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)  
RN1961FE,RN1962FE,RN1963FE  
RN1964FE,RN1965FE,RN1966FE  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and  
Unit: mm  
Driver Circuit Applications.  
·
·
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin)  
package.  
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more  
compact equipment and save assembly cost.  
Complementary to RN2961FE~RN2966FE  
·
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
C
Type No.  
R1 (kW)  
R2 (kW)  
RN1961FE  
RN1962FE  
RN1963FE  
RN1964FE  
RN1965FE  
RN1966FE  
4.7  
10  
4.7  
10  
22  
47  
47  
47  
R1  
B
22  
47  
JEDEC  
JEITA  
―
―
―
E
2.2  
4.7  
TOSHIBA  
Weight:  
g (typ.)  
Equivalent Circuit  
(top view)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
6
5
4
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
RN1961FE~  
1966FE  
Q2  
Collector-emitter voltage  
Q1  
RN1961FE~  
1964FE  
10  
5
Emitter-base voltage  
V
V
EBO  
RN1965FE,  
1966FE  
1
2
3
Collector current  
I
100  
100  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
(Note)  
C
T
RN1961FE~  
RN1966FE  
150  
j
T
-55~150  
°C  
stg  
Note: Total rating  
1
2002-01-29  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1962FE(TE85L) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1B, 6 PIN,
RN1963(TE85L,F) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363

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