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RN1964

更新时间： 2024-02-02 14:08:21

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
7页	266K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN1964 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.49	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.05 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RN1964 数据手册

RN1961~RN1966

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1961,RN1962,RN1963

RN1964,RN1965,RN1966

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

l Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads)

l With built-in bias resistors

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

· Complementary to RN2961~RN2966

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1961

RN1962

RN1963

RN1964

RN1965

RN1966

4.7

JEDEC

―

2.2

4.7

EIAJ

TOSHIBA

Weight: 6.8mg

2-2J1B

Equivalent Circuit (Top View)

Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

RN1961~1966

Collector-emitter voltage

RN1961~1964

RN1965, 1966

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

100

200

150

−55~150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

*: Total rating

P *

RN1961~1966

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6 7

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与RN1964相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RN1964(TE85L)	TOSHIBA	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1B, 6 PIN,	获取价格
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