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RN1965

更新时间： 2024-09-22 22:43:51
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管PC
页数 文件大小 规格书
7页 266K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN1965 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：2-2J1B, US6, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.5其他特性：BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

RN1965 数据手册

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RN1961~RN1966  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1961,RN1962,RN1963  
RN1964,RN1965,RN1966  
Unit: mm  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
l Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads)  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
· Complementary to RN2961~RN2966  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN1961  
RN1962  
RN1963  
RN1964  
RN1965  
RN1966  
4.7  
10  
4.7  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
47  
JEDEC  
―
―
2.2  
4.7  
EIAJ  
TOSHIBA  
Weight: 6.8mg  
2-2J1B  
Equivalent Circuit (Top View)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
RN1961~1966  
Collector-emitter voltage  
RN1961~1964  
RN1965, 1966  
10  
Emitter-base voltage  
V
V
EBO  
5
Collector current  
I
100  
200  
150  
−55~150  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
*: Total rating  
P *  
C
RN1961~1966  
T
j
T
°C  
stg  
1
2001-06-07  
1234567

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与RN1965相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1965(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1B, 6 PIN,
RN1965(TE85L,F) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363
RN1965(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1B, 6 PIN,
RN1965CT TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN1965CT(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),LLCC
RN1965FE TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transi
RN1965FE(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
RN1965FE(TPL3,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
RN1965FS TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1965FS(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Digital Transistors 2.2K x 47Kohms Polarity=NPNx2

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