5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | R-PUFM-D5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | COMPLEX | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D5 | 最大非重复峰值正向电流： | 200 A |
| 元件数量： | 6 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 20 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 子类别： | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM10TA-2H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM10TA-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM10TA-M | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM10TB-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 20A, 800V V(RRM), Silicon, MODULE-5 |
|
| RM10TB-M | MITSUBISHI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 20A, 400V V(RRM), Silicon, MODULE-5 |
|
| RM10TN-2H | MITSUBISHI |
获取价格 |
Three-Phase Diode Bridge Modules |
|
| RM10TN-2H | POWEREX |
获取价格 |
Three Phase Diode Bridge Module (7 Amperes/1600 Volts) |
|
| RM10TN-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
Three-Phase Diode Bridge Modules |
|
| RM-10-T-R | DBLECTRO |
获取价格 |
SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH |
|
| RM10V3 | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
