5秒后页面跳转
RM110N100BT2 PDF预览

RM110N100BT2

更新时间: 2024-11-19 18:08:55
品牌 Logo 应用领域
RECTRON
页数 文件大小 规格书
5页 1068K
描述
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 65 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 80 W;Vgs(th) (typ) : 3.0 V;Input Capacitance (Ciss) : 5040 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : Through Hole;Package / Case : TO-220

RM110N100BT2 数据手册

 浏览型号RM110N100BT2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RM110N100BT2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RM110N100BT2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RM110N100BT2的Datasheet PDF文件第5页 
RM110N100BT2  
N-Channel Trench MOSFET  
Symbol  
Features  
4.1m@VGS=10V  
RDS(ON)  
VDSS100V  
Advanced trench cell design  
Low Thermal Resistance  
Application  
Motor Drivers  
DC-DC Converter  
Halogen-free  
Package Marking  
Device  
Device Package  
TO-220  
Marking  
RM110N100BT2  
110N100  
TO-220  
Absolute Maximum Rating  
Symbol  
Parameter  
Condition  
Value  
100  
Unit  
V
VDS  
Drain-Source Voltage  
TC=25  
TC=70℃  
110  
A
ID  
Continuous Drain Current  
85  
A
VGS  
IDM  
PD  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
TC=25℃  
TC=25℃  
Pulsed Drain Current  
300  
A
Total Power Dissipation  
80  
W
mJ  
EAS  
TSTG  
TJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
300  
-55 to 150  
150  
2023-05/119  
REV:B  

与RM110N100BT2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM110N150HD RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.0 mOhms;Total Gate Charge (
RM110N150T2 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 113 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.9 mOhms;Total Gate Charge (
RM110N55T7 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 55 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 97 nQ;Maximum Power Diss
RM110N82T2 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 82 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM110N85T2 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM110N90DF RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (n
RM110P40HDV RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.2 mOhms;Total Gate Charge (n
RM111JPQMLV TI

获取价格

COMPARATOR, 4000uV OFFSET-MAX, 200ns RESPONSE TIME, CDIP14, CERDIP-14
RM115N65T2 RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 65 V;Id @ 25C (A) : 115 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM11A SANKEN

获取价格

Rectifier Diodes