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RM10ZWK PDF预览

RM10ZWK

更新时间： 2024-10-30 13:12:59
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 24K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon,

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RM10ZWK 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.63
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

RM10ZWK 数据手册

  
Rectifier Diodes  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
Tj  
Tstg  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(H)  
(µA)  
Rth (j-  
)
(°C)  
(°C)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
A
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
IF  
(A)  
(°C/ W)  
max  
0.91  
(g)  
Ta  
=
100°C max  
200  
400  
600  
800  
200  
400  
600  
800  
1000  
200  
400  
600  
800  
1000  
1.5  
1.2  
120  
RM 10Z  
RM 10  
RM 10A  
RM 10B  
RM 2Z  
RM 2  
RM 2A  
RM 2B  
RM 2C  
RO 2Z  
RO 2  
RO 2A  
RO 2B  
RO 2C  
–40 to +150  
–40 to +150  
1.5  
1.5  
10  
50  
15  
12  
0.4  
150  
1.2  
1.2  
100  
80  
0.91  
0.92  
10  
50  
50  
0.6  
B
–40 to +150  
1.5  
10  
12  
0.61  
RM 10 series  
Ta —IF(AV) Derating  
VF —IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
5.0  
150  
100  
50  
1.5  
L=15mm  
L=15mm  
20ms  
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
0
Solder  
180• 100 • 1.6 t  
10mm  
Copper Foil  
P.C.B  
RM10  
RM10A  
RM10B  
1.0  
0.5  
RM10Z  
=
T
a
130°C  
100°C  
25°C  
RM10  
RM10A  
RM10B  
RM10Z  
0.1  
0.05  
0.5  
0
1
5
10  
50  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RM 2 series  
Ta —IF(AV) Derating  
VF —IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
1.5  
5.0  
100  
80  
20ms  
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
0
1.0  
0.5  
60  
=
T
a
130°C  
100°C  
25°C  
40  
20  
0.1  
0.05  
0.5  
0
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
1
5
10  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RO 2 series  
Ta —IF(AV) Derating  
VF —IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
80  
50  
10  
1.5  
20ms  
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
0
60  
40  
20  
1
0.1  
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
0.01  
25°C  
0.001  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1
5
10  
50  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
Fig.  
B
External Dimensions  
Fig.  
A
(Unit: mm)  
0.78±0.05  
0.98±0.05  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
4.0±0.2  
4.0±0.2  
15  
1

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与RM10ZWK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM10ZWS SANKEN

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon,
RM11 EIC

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 		SILICON RECTIFIER DIODES
RM110N100BT2 RECTRON

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 		Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (
RM110N150HD RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.0 mOhms;Total Gate Charge (
RM110N150T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 113 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.9 mOhms;Total Gate Charge (
RM110N55T7 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 55 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 97 nQ;Maximum Power Diss
RM110N82T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 82 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM110N85T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM110N90DF RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 80 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (n
RM110P40HDV RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.2 mOhms;Total Gate Charge (n

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