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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 46K |  |
| 描述 | ||
| MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | R-PUFM-D5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | COMPLEX |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-D5 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 350 A | 元件数量： | 6 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 20 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM10TB-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 20A, 800V V(RRM), Silicon, MODULE-5 |
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| RM10TB-M | MITSUBISHI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 20A, 400V V(RRM), Silicon, MODULE-5 |
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| RM10TN-2H | MITSUBISHI |
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Three-Phase Diode Bridge Modules |
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| RM10TN-2H | POWEREX |
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Three Phase Diode Bridge Module (7 Amperes/1600 Volts) |
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| RM10TN-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
Three-Phase Diode Bridge Modules |
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| RM-10-T-R | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH |
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| RM10V3 | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
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| RM10V4 | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
|
| RM10VO | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
|
| RM10WK | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
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