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RM10ZV4 PDF预览

RM10ZV4

更新时间： 2024-11-19 08:38:59
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 172K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon,

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RM10ZV4 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.63
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：120 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

RM10ZV4 数据手册

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General-purpose Diodes  
Rectifier Diodes  
Surface-mount Type  
■
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
Absolute Maximum Ratings  
Absolute Maximum Ratings  
IF (AV) IFSM  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
Fig.  
No.  
Fig.  
No.  
VRM  
(V)  
IF (AV) IFSM  
Condition  
Type No.  
VRM  
(V)  
Condition  
Type No.  
Tj  
Tstg  
(ºC)  
Tj  
Tstg  
(ºC)  
(A)  
(A)  
(A)  
(A)  
IF  
IF  
max  
max  
max  
max  
(A)  
(A)  
SFPM-52  
-54  
200  
400  
200  
400  
RM 4Y  
4Z  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
600  
0.9  
1.0  
30  
45  
1.00  
–40 to +150  
200  
1.0  
10  
1
0.95  
SFPM-62  
-64  
4
3.0  
3.2  
3.0  
3.5  
0.98  
10  
8
4A  
–40 to +150  
4B  
150  
350  
0.97  
0.92  
4C  
4AM  
Axial Type  
■
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
Absolute Maximum Ratings  
IF (AV) IFSM  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
Fig.  
No.  
VRM  
(V)  
Condition  
Type No.  
Tj  
Tstg  
(ºC)  
Center-tap Type  
■
(A)  
(A)  
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
IF  
(A)  
max  
0.98  
max  
10  
Absolute Maximum Ratings  
Tj Tstg  
(ºC)  
AM01Z  
01  
200  
400  
600  
200  
400  
600  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
400  
600  
800  
200  
400  
600  
800  
1000  
600  
800  
1000  
200  
400  
600  
800  
200  
400  
600  
800  
1000  
200  
400  
600  
800  
1000  
400  
600  
800  
1000  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
Fig.  
No.  
Condition  
Type No.  
VRM  
(V)  
IF (AV) IFSM  
1.0  
35  
–40 to +150  
–40 to +150  
1.0  
1.0  
2
3
(A)  
(A)  
IF  
(A)  
max. per  
chip  
max. per  
chip  
01A  
EM01Z  
01  
FMM-22S,R  
-24S,R  
200  
400  
600  
100  
200  
400  
600  
10.0  
100  
–40 to +150  
1.1  
5.0  
10  
10  
9
1.0  
1.0  
1.2  
45  
45  
0.97  
0.97  
0.92  
10  
-26S,R  
01A  
EM 1Y  
1Z  
FMM-31S,R  
-32S,R  
20.0  
120  
–40 to +150  
1.1 10.0  
10  
-34S,R  
1
–40 to +150  
1.0  
-36S,R  
1A  
10  
4
1B  
35  
80  
1C  
EM 2  
2A  
–40 to +150  
–40 to +150  
1.2  
1.0  
2B  
RM 1Z  
1
1.0  
0.8  
50  
40  
0.95  
1.20  
0.92  
5
1A  
1B  
1C  
RM 11A  
11B  
11C  
RM 10Z  
10  
5
1.2  
1.5  
1.2  
100  
120  
150  
–40 to +150  
–40 to +150  
1.5  
1.5  
10  
10  
0.91  
0.91  
10A  
10B  
RM 2Z  
2
1.2  
1.2  
100  
–40 to +150  
1.5  
10  
2A  
2B  
2C  
6
RO 2Z  
2
80  
2A  
–40 to +150  
–40 to +150  
0.92  
0.95  
1.5  
2.5  
10  
10  
2B  
2C  
RM 3  
3A  
2.5  
2.0  
150  
7
3B  
3C  
89  
1234567...9

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与RM10ZV4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM10ZW SANKEN

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon,
RM10ZWK SANKEN

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon,
RM10ZWS SANKEN

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon,
RM11 EIC

获取价格

 		SILICON RECTIFIER DIODES
RM110N100BT2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (
RM110N150HD RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.0 mOhms;Total Gate Charge (
RM110N150T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 113 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.9 mOhms;Total Gate Charge (
RM110N55T7 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 55 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 97 nQ;Maximum Power Diss
RM110N82T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 82 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM110N85T2 RECTRON

获取价格

 		Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 110 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5 mOhms;Total Gate Charge (nQ)

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