是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | R-PUFM-D5 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.74 |
Is Samacsys: | N | 应用: | GENERAL PURPOSE |
配置: | COMPLEX | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.1 V |
JESD-30 代码: | R-PUFM-D5 | 最大非重复峰值正向电流: | 350 A |
元件数量: | 6 | 相数: | 1 |
端子数量: | 5 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 20 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 800 V |
子类别: | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM10TA-M | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM10TB-H | MITSUBISHI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 20A, 800V V(RRM), Silicon, MODULE-5 | |
RM10TB-M | MITSUBISHI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 20A, 400V V(RRM), Silicon, MODULE-5 | |
RM10TN-2H | MITSUBISHI |
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Three-Phase Diode Bridge Modules | |
RM10TN-2H | POWEREX |
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Three Phase Diode Bridge Module (7 Amperes/1600 Volts) | |
RM10TN-H | MITSUBISHI |
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Three-Phase Diode Bridge Modules | |
RM-10-T-R | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH | |
RM10V3 | SANKEN |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, | |
RM10V4 | SANKEN |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, | |
RM10VO | SANKEN |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |