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PSMN013-100PS

更新时间： 2024-09-28 06:05:35

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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14页	170K
描述
N-channel 100V 13.9mΩ standard level MOSFET in TO220.

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PSMN013-100PS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	67 A
最大漏极电流 (ID)：	67 A	最大漏源导通电阻：	0.0139 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	268 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN013-100PS 数据手册

PSMN013-100PS

N-channel 100V 13.9mΩ standard level MOSFET in TO220.

Rev. 02 — 22 January 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for standard level gate drive

and conduction losses

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

100

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

170

175

T_j

junction temperature

-55

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 68 A; V_sup≤ 100 V;

unclamped; R_GS= 50 Ω

127

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 50 V; see Figure 15

and 14

Q_G(tot)

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 50 V; see Figure 14

and 15

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PSMN013-100YSE	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V 13 mΩ standard level MOSFET i
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