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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 127 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 68 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0139 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 272 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN013-100BS,118 | NXP |
获取价格 |
PSMN013-100BS - N-channel 100V 13.9mΩ standar |
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| PSMN013-100ES | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V 13.9 mΩ standard level MOSFET |
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| PSMN013-100ES,127 | NXP |
获取价格 |
PSMN013-100ES - N-channel 100V 13.9mΩ standar |
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| PSMN013-100PS | NXP |
获取价格 |
N-channel 100V 13.9mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN013-100PS | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100V 13.9mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN013-100PS,127 | NXP |
获取价格 |
PSMN013-100PS - N-channel 100V 13.9mΩ standar |
|
| PSMN013-100YSE | NXP |
获取价格 |
82A, 100V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK56-4 |
|
| PSMN013-100YSE | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V 13 mΩ standard level MOSFET i |
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| PSMN013-30LL | NXP |
获取价格 |
N-channel 30 V 13 mΩ logic level MOSFET |
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| PSMN013-30LL,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN013-30LL - N-channel DFN3333-8 30 V 13 mΩ |
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