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PMEG2010BER

更新时间: 2024-11-17 11:14:23
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 276K
描述
20 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction

PMEG2010BER 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.61
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:1.8 W表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

PMEG2010BER 数据手册

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PMEG2010BER  
20 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier  
1 January 2023  
Product data sheet  
1. General description  
Planar Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in  
a SOD123W small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
Average forward current: IF(AV) ≤ 1 A  
Reverse voltage: VR ≤ 20 V  
Low forward voltage  
High power capability due to clip-bond technology  
Small and flat lead SMD plastic package  
3. Applications  
Low voltage rectification  
High efficiency DC-to-DC conversion  
Switch Mode Power Supply (SMPS)  
Reverse polarity protection  
Low power consumption applications  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IF(AV)  
average forward  
current  
δ = 0.5; f = 20 kHz; square wave; Tsp  
140 °C  
-
-
1
A
VR  
VF  
IR  
reverse voltage  
forward voltage  
reverse current  
Tj = 25 °C  
-
-
-
-
20  
V
IF = 1 A; Tj = 25 °C  
VR = 20 V; Tj = 25 °C  
395  
8
450  
50  
mV  
µA  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning information  
Pin  
1
Symbol  
Description  
cathode[1]  
anode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
K
A
K
A
1
2
2
sym001  
CFP3 (SOD123W)  
[1] The marking bar indicates the cathode.  
 
 
 
 
 
 

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