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PMEG2010EA-Q

更新时间： 2023-09-03 20:31:44

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安世 - NEXPERIA		/
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20 V, 1 A low VF Schottky barrier diodeProduction

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PMEG2010EA-Q 数据手册

PMEG2010EA-Q

20 V, 1 A low VF Schottky barrier diode

4 November 2022

Product data sheet

1. General description

Planar Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a

SOD323 (SC-76) very small SMD plastic package.

2. Features and benefits

•

Forward current: 1 A

•

Reverse voltage: 20 V

Ultra high-speed switching

Very low forward voltage

Very small plastic SMD package

Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

•

Ultra high-speed switching

Voltage clamping

Protection circuits

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F

forward current

reverse voltage

forward voltage

V_R

V_F

I_F= 1 A; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

T_amb= 25 °C

480

550

I_R

reverse current

V_R= 15 V; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

T_amb= 25 °C

µA

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

cathode

Simplified outline

Graphic symbol

anode

001aaa020

SOD323

12 3 4 5 6 7 8

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