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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.59 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.57 W | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMEG2010ER,115 | NXP |
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PMEG2010ER - 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier SOD-123 2-Pin |
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| PMEG2010ER-Q | NEXPERIA |
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1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG2010ET | NEXPERIA |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiersProduction |
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| PMEG2010ET | NXP |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
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| PMEG2010ET,215 | NXP |
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PMEG2010EH; PMEG2010EJ; PMEG2010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers TO-2 |
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| PMEG2010ET-Q | NEXPERIA |
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20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG2010EV | NXP |
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Low VF MEGA Schottky barrier diode |
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| PMEG2010EV,115 | NXP |
获取价格 |
PMEG2010EV - Low VF MEGA Schottky barrier diode SOT 6-Pin |
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| PMEG2015EA | NXP |
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Low VF (MEGA) Schottky barrier diode |
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| PMEG2015EA | NEXPERIA |
获取价格 |
Low VF (MEGA) Schottky barrier diodeProduction |
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