是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.63 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.28 W | 参考标准: | IEC-60134 |
最大重复峰值反向电压: | 20 V | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMEG2010ET,215 | NXP |
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PMEG2010EH; PMEG2010EJ; PMEG2010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers TO-2 | |
PMEG2010ET-Q | NEXPERIA |
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20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010EV | NXP |
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Low VF MEGA Schottky barrier diode | |
PMEG2010EV,115 | NXP |
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PMEG2010EV - Low VF MEGA Schottky barrier diode SOT 6-Pin | |
PMEG2015EA | NXP |
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Low VF (MEGA) Schottky barrier diode | |
PMEG2015EA | NEXPERIA |
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Low VF (MEGA) Schottky barrier diodeProduction | |
PMEG2015EA,115 | NXP |
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PMEG2015EA - Low VF (MEGA) Schottky barrier diode SOD 2-Pin | |
PMEG2015EA-Q | NEXPERIA |
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20 V, 1.5 A low VF Schottky barrier diodeProduction | |
PMEG2015EH | NXP |
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20 V, 1.5 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers | |
PMEG2015EH | NEXPERIA |
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20 V, 1.5 A very low V_F MEGA Schottky barrier rectifiersProduction |