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PMEG2015EV,115

更新时间: 2024-11-16 15:48:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 62K
描述
PMEG2015EV - Low VF MEGA Schottky barrier diode SOT 6-Pin

PMEG2015EV,115 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT包装说明:ULTRA SMALL, PLASTIC, SMD, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.43
Is Samacsys:N应用:EFFICIENCY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.27 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:10 A
元件数量:1相数:1
端子数量:6最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:20 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

PMEG2015EV,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMEG2015EV  
Low VF MEGA Schottky barrier  
diode  
Product data sheet  
2003 Jun 03  
Supersedes data of 2003 May 21  

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