是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SC-90 |
包装说明: | R-PDSO-F2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.6 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.13 V | JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.83 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 20 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
EC11FS4 | KYOCERA AVX |
功能相似 |
Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as genera |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMEG2010EJ,115 | NXP |
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PMEG2010EH; PMEG2010EJ; PMEG2010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD | |
PMEG2010EJ-Q | NEXPERIA |
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20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010EPA | NEXPERIA |
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1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010EPAS | NEXPERIA |
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20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010EPK | NXP |
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20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier | |
PMEG2010EPK | NEXPERIA |
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20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010EPK-Q | NEXPERIA |
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20 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010ER | NXP |
获取价格 |
1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier | |
PMEG2010ER | NEXPERIA |
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1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010ER,115 | NXP |
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PMEG2010ER - 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier SOD-123 2-Pin |