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PMEG2010EPK

更新时间: 2024-02-02 09:47:51
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
13页 1051K
描述
20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

PMEG2010EPK 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.27 V
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:8 A
元件数量:1最高工作温度:125 °C
最大输出电流:1 A最大重复峰值反向电压:20 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1

PMEG2010EPK 数据手册

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PMEG2010EPK  
20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier  
Rev. 1 — 20 January 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an  
integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a leadless ultra small  
SOD1608 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable  
side pads.  
1.2 Features and benefits  
Average forward current: IF(AV) 1 A  
Reverse voltage: VR 20 V  
Low forward voltage VF 415 mV  
Low reverse current  
AEC-Q101 qualified  
Solderable side pads  
Package height typ. 0.37 mm  
Ultra small and leadless SMD plastic  
package  
1.3 Applications  
Low voltage rectification  
Low power consumption applications  
Ultra high-speed switching  
High efficiency DC-to-DC conversion  
Switch mode power supply  
Reverse polarity protection  
LED backlight for mobile application  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
IF(AV)  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
[1]  
average forward  
current  
square wave; δ = 0.5; f = 20 kHz;  
-
-
1
A
T
amb 110 °C  
square wave; δ = 0.5; f = 20 kHz;  
Tsp 135 °C  
-
-
1
A
VR  
VF  
reverse voltage  
forward voltage  
Tj = 25 °C  
-
-
-
20  
V
IF = 1 A; pulsed; tp 300 µs; δ ≤ 0.02;  
370  
415  
mV  
Tj = 25 °C  
IR  
reverse current  
VR = 10 V; Tj = 25 °C  
-
50  
250  
µA  
[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al2O3, standard footprint.  

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