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PMEG2010EH

更新时间: 2024-11-17 11:10:15
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安世 - NEXPERIA PC光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 653K
描述
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiersProduction

PMEG2010EH 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:4.74
Samacsys Confidence:4Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:170855Samacsys Pin Count:2
Samacsys Part Category:Schottky DiodeSamacsys Package Category:Small Outline Diode
Samacsys Footprint Name:SOD123FSamacsys Released Date:2016-04-21 03:45:06
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.375 W参考标准:IEC-60134
最大重复峰值反向电压:20 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PMEG2010EH 数据手册

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PMEG2010EH; PMEG2010EJ;  
PMEG2010ET  
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers  
Rev. 04 — 20 March 2007  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifiers with an  
integrated guard ring for stress protection, encapsulated in small Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic packages.  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
Nexperia  
SOD123F  
SOD323F  
SOT23  
Configuration  
JEITA  
JEDEC  
PMEG2010EH  
PMEG2010EJ  
PMEG2010ET  
-
-
single  
single  
single  
SC-90  
-
-
TO-236AB  
1.2 Features  
I Forward current: IF 1 A  
I Reverse voltage: VR 20 V  
I Very low forward voltage  
I Small SMD plastic packages  
1.3 Applications  
I Low voltage rectification  
I High efficiency DC-to-DC conversion  
I Switch mode power supply  
I Reverse polarity protection  
I Low power consumption applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
IF  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
sp 55 °C  
Min  
Typ  
Max  
1
Unit  
A
forward current  
reverse voltage  
forward voltage  
T
-
-
-
VR  
-
20  
V
[1]  
VF  
IF = 1000 mA  
-
420  
500  
mV  
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.  

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