是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 4.74 |
Samacsys Confidence: | 4 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 170855 | Samacsys Pin Count: | 2 |
Samacsys Part Category: | Schottky Diode | Samacsys Package Category: | Small Outline Diode |
Samacsys Footprint Name: | SOD123F | Samacsys Released Date: | 2016-04-21 03:45:06 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.375 W | 参考标准: | IEC-60134 |
最大重复峰值反向电压: | 20 V | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PMEG2010EH,115 | NXP |
类似代替 |
PMEG2010EH; PMEG2010EJ; PMEG2010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD- |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMEG2010EH,115 | NXP |
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PMEG2010EH; PMEG2010EJ; PMEG2010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD- | |
PMEG2010EH-Q | NEXPERIA |
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20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010EJ | NXP |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers | |
PMEG2010EJ | NEXPERIA |
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1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiersProduction | |
PMEG2010EJ,115 | NXP |
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PMEG2010EH; PMEG2010EJ; PMEG2010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD | |
PMEG2010EJ-Q | NEXPERIA |
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20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010EPA | NEXPERIA |
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1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010EPAS | NEXPERIA |
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20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2010EPK | NXP |
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20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier | |
PMEG2010EPK | NEXPERIA |
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20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction |