5秒后页面跳转
PMEG2010EH,115 PDF预览

PMEG2010EH,115

更新时间: 2024-02-04 14:31:54
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 71K
描述
PMEG2010EH; PMEG2010EJ; PMEG2010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD-123 2-Pin

PMEG2010EH,115 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOD-123包装说明:PLASTIC, SMD, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.47Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.13 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:9 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.83 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:20 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

PMEG2010EH,115 数据手册

 浏览型号PMEG2010EH,115的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PMEG2010EH,115的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PMEG2010EH,115的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PMEG2010EH,115的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PMEG2010EH,115的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PMEG2010EH,115的Datasheet PDF文件第7页 
PMEG2010EH; PMEG2010EJ;  
PMEG2010ET  
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers  
Rev. 04 — 20 March 2007  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifiers with an  
integrated guard ring for stress protection, encapsulated in small Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic packages.  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
Configuration  
JEITA  
JEDEC  
PMEG2010EH  
PMEG2010EJ  
PMEG2010ET  
SOD123F  
SOD323F  
SOT23  
-
-
single  
single  
single  
SC-90  
-
-
TO-236AB  
1.2 Features  
I Forward current: IF 1 A  
I Reverse voltage: VR 20 V  
I Very low forward voltage  
I Small SMD plastic packages  
1.3 Applications  
I Low voltage rectification  
I High efficiency DC-to-DC conversion  
I Switch mode power supply  
I Reverse polarity protection  
I Low power consumption applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
IF  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
sp 55 °C  
Min  
Typ  
Max  
1
Unit  
A
forward current  
reverse voltage  
forward voltage  
T
-
-
-
VR  
-
20  
V
[1]  
VF  
IF = 1000 mA  
-
420  
500  
mV  
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.  
 
 
 
 
 
 

PMEG2010EH,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMEG2010EH NEXPERIA

类似代替

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiersProduction
PMEG2010EH NXP

类似代替

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
MBR120ESFT1G ONSEMI

功能相似

Surface Mount Schottky Power Rectifier

与PMEG2010EH,115相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMEG2010EH-Q NEXPERIA

获取价格

20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG2010EJ NXP

获取价格

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers
PMEG2010EJ NEXPERIA

获取价格

1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiersProduction
PMEG2010EJ,115 NXP

获取价格

PMEG2010EH; PMEG2010EJ; PMEG2010ET - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOD
PMEG2010EJ-Q NEXPERIA

获取价格

20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction
PMEG2010EPA NEXPERIA

获取价格

1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction
PMEG2010EPAS NEXPERIA

获取价格

20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction
PMEG2010EPK NXP

获取价格

20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
PMEG2010EPK NEXPERIA

获取价格

20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction
PMEG2010EPK-Q NEXPERIA

获取价格

20 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifierProduction