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PMEG2010EA

更新时间: 2024-11-15 22:44:23
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恩智浦 - NXP 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 57K
描述
Low VF (MEGA) Schottky barrier diode

PMEG2010EA 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-76
包装说明:PLASTIC, SC-76, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.19
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.27 VJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:5 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:20 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

PMEG2010EA 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMEG2010EA  
Low VF (MEGA) Schottky barrier  
diode  
Product specification  
2004 Feb 06  
Supersedes data of 2002 Dec 10  

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