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PMEG2010BEV

更新时间: 2024-11-15 22:34:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 84K
描述
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier

PMEG2010BEV 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred包装说明:ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.33Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.13 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:10 A
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:20 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PMEG2010BEV 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMEGXX10BEA;  
PMEGXX10BEV  
1 A very low VF MEGA Schottky  
barrier rectifier  
Product specification  
2004 Jun 14  
Supersedes data of 2004 Apr 02  

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