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PMEG2010BEV

更新时间: 2023-09-03 20:29:37
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 182K
描述
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction

PMEG2010BEV 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.73配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.13 V
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:10 A
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大重复峰值反向电压:20 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)Base Number Matches:1

PMEG2010BEV 数据手册

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PMEG2010BEV  
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier  
4 January 2023  
Product data sheet  
1. General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated  
guard ring for stress protection, encapsulated in a SOT666 ultra small and flat lead Surface  
Mounted Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
Forward current: 1 A  
Reverse voltage: 20 V  
Very low forward voltage  
Ultra small plastic SMD package  
3. Applications  
High efficiency DC-to-DC conversion  
Voltage clamping  
Protection circuits  
Low voltage rectification  
Blocking diode  
Low power consumption applications  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Tsp ≤ 55 °C  
Tj = 25 °C  
Min  
Typ  
Max  
1
Unit  
A
IF  
forward current  
reverse voltage  
[1]  
-
-
-
-
VR  
20  
V
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning information  
Pin  
1
Symbol  
Description  
cathode  
cathode  
anode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
K
K
A
A
K
K
6
5
4
2
K, K  
K, K  
3
A, A  
sym038  
4
anode  
5
cathode  
cathode  
1
2
3
SOT666  
6
 
 
 
 
 
 

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