Datasheet > 二极管 > 整流二极管> PMEG2010BER

PMEG2010BER

更新时间： 2024-09-30 10:07:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		整流二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
13页	91K
描述
1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PMEG2010BER 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	1.8 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

PMEG2010BER 数据手册

PMEG2010BER

1 A low V_FMEGA Schottky barrier rectiﬁer

Rev. 01 — 16 April 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Planar Maximum Efﬁciency General Application (MEGA) Schottky barrier rectiﬁer with an

integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD123W small and ﬂat

lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

1.2 Features

I Average forward current: I_F(AV)≤ 1 A

I Reverse voltage: V_R≤ 20 V

I Low forward voltage

I High power capability due to clip-bond technology

I AEC-Q101 qualiﬁed

I Small and ﬂat lead SMD plastic package

1.3 Applications

I Low voltage rectiﬁcation

I High efﬁciency DC-to-DC conversion

I Switch Mode Power Supply (SMPS)

I Reverse polarity protection

I Low power consumption applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F(AV)

average forward current

square wave;

δ = 0.5;

f = 20 kHz

[1]

_amb≤ 125 °C

_sp≤ 140 °C

V_R

V_F

I_R

reverse voltage

forward voltage

reverse current

450

I_F= 1 A

395

µA

V_R= 20 V

[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al₂O₃, standard footprint.

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与PMEG2010BER相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PMEG2010BER,115	NXP	获取价格	PMEG2010BER - 1 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier SOD-123 2-Pin
PMEG2010BER-Q	NEXPERIA	获取价格	20 V, 1 A low Vf Schottky barrier rectifierProduction
PMEG2010BEV	NXP	获取价格	1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier
PMEG2010BEV	NEXPERIA	获取价格	1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction
PMEG2010BEV,115	NXP	获取价格	PMEGXX10BEA; PMEGXX10BEV - Very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOT 6-Pin
PMEG2010EA	NXP	获取价格	Low VF (MEGA) Schottky barrier diode
PMEG2010EA	NEXPERIA	获取价格	20 V, 1 A low VF Schottky barrier diodeProduction
PMEG2010EA,115	ETC	获取价格	DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
PMEG2010EA,135	NXP	获取价格	PMEG2010EA - 20 V, 1 A low VF (MEGA) Schottky barrier diode SOD 2-Pin
PMEG2010EA-Q	NEXPERIA	获取价格	20 V, 1 A low VF Schottky barrier diodeProduction

与PMEG2010BER相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

30
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PMEG2010BER

PMEG2010BER 技术参数

PMEG2010BER 数据手册

与PMEG2010BER相关器件

与PMEG2010BER相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PMEG2010BER

PMEG2010BER 技术参数

PMEG2010BER 数据手册

与PMEG2010BER相关器件

与PMEG2010BER相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？