5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 7.4 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏源导通电阻： | 250 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ177,215 | NXP |
类似代替  |
P-channel FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ175,215 | NXP |
类似代替 |
P-channel FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ174,215 | NXP |
类似代替 |
P-channel FET TO-236 3-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ176-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET Gener |
|
| PMBFJ176T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2MA I(DSS) | TO-236 |
|
| PMBFJ176-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ176-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ176TRL | NXP |
获取价格 |
30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
|
| PMBFJ176TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| PMBFJ177 | NXP |
获取价格 |
P-channel silicon field-effect transistors |
|
| PMBFJ177,215 | NXP |
获取价格 |
P-channel FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ177/DG,215 | NXP |
获取价格 |
P-channel FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ177-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET Gener |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
